창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MUR410G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUR405(10,15,20,40,60) | |
| 카탈로그 페이지 | 1561 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | SWITCHMODE™ | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 4A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 890mV @ 4A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 35ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 100V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-201AA, DO-27, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-201AD | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 175°C | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | MUR410G-ND MUR410GOS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MUR410G | |
| 관련 링크 | MUR4, MUR410G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | MLG0603S56NHTD25 | 56nH Unshielded Multilayer Inductor 50mA 3.2 Ohm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603S56NHTD25.pdf | |
![]() | 2SK4408 | 2SK4408 TOSHIBA TO-247 | 2SK4408.pdf | |
![]() | 44507B | 44507B ORIGINAL SOP-8 | 44507B.pdf | |
![]() | 3SK186FI-TL/FI | 3SK186FI-TL/FI HITACHI SMD or Through Hole | 3SK186FI-TL/FI.pdf | |
![]() | LB3216HS800T | LB3216HS800T ORIGINAL SMD or Through Hole | LB3216HS800T.pdf | |
![]() | PJESDA6V2-4 | PJESDA6V2-4 PANJIT SMD or Through Hole | PJESDA6V2-4.pdf | |
![]() | CF640308PCM | CF640308PCM TI QFP160 | CF640308PCM.pdf | |
![]() | 1206/280R | 1206/280R ORIGINAL SMD | 1206/280R.pdf | |
![]() | BGL1608A121HT | BGL1608A121HT ORIGINAL SMD or Through Hole | BGL1608A121HT.pdf | |
![]() | K4E151612C | K4E151612C SAMSUNG TSOP | K4E151612C.pdf | |
![]() | 290719 | 290719 st SOP8 | 290719.pdf | |
![]() | EM48AM1684VTB-7F | EM48AM1684VTB-7F EOREX TSOP | EM48AM1684VTB-7F.pdf |