창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MUR40005CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUR40005CT thru 40020CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 50V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 125A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 90ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 50V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MUR40005CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MUR40005CTR | |
| 관련 링크 | MUR400, MUR40005CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 381LQ332M050H022 | 3300µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 126 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | 381LQ332M050H022.pdf | |
![]() | CGA3E2C0G1H080D080AD | 8pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E2C0G1H080D080AD.pdf | |
![]() | 5500R-565J | 5.6mH Unshielded Inductor 480mA 4.24 Ohm Max 2-SMD | 5500R-565J.pdf | |
![]() | PTHF25-50 | 25µH Shielded Toroidal Inductor 5.2A 20 mOhm Max Radial | PTHF25-50.pdf | |
![]() | b65714j1000t1 | b65714j1000t1 tdk-epc SMD or Through Hole | b65714j1000t1.pdf | |
![]() | EX034A | EX034A KSS DIP-8 | EX034A.pdf | |
![]() | 24090F002 | 24090F002 ORIGINAL QFP | 24090F002.pdf | |
![]() | FB3S025C11R3000 | FB3S025C11R3000 JAE SMD | FB3S025C11R3000.pdf | |
![]() | 618-B-103 | 618-B-103 BI SOP16S | 618-B-103.pdf | |
![]() | ADM6823YRJZ | ADM6823YRJZ ADI SMD or Through Hole | ADM6823YRJZ.pdf | |
![]() | MURS340G | MURS340G ON DO-214AB | MURS340G.pdf | |
![]() | 11AA020-I/WF16K | 11AA020-I/WF16K Microchip SMD or Through Hole | 11AA020-I/WF16K.pdf |