창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MUR40005CTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MUR40005CT thru 40020CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 50V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 125A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 90ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 50V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | MUR40005CTRGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MUR40005CTR | |
관련 링크 | MUR400, MUR40005CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | ECS-40-18-4XEN | 4MHz ±30ppm 수정 18pF 150옴 -40°C ~ 85°C 스루홀 HC49/US | ECS-40-18-4XEN.pdf | |
![]() | 445W22E14M31818 | 14.31818MHz ±20ppm 수정 20pF 50옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W22E14M31818.pdf | |
![]() | CMF6030R900FKEB64 | RES 30.9 OHM 1W 1% AXIAL | CMF6030R900FKEB64.pdf | |
![]() | SPC5673FMVV2 | SPC5673FMVV2 FREESCALE BGA | SPC5673FMVV2.pdf | |
![]() | LA7520N | LA7520N SANYO DIP30P | LA7520N.pdf | |
![]() | LC4256V-5T100 | LC4256V-5T100 ORIGINAL QFP | LC4256V-5T100.pdf | |
![]() | 6ME6800CX | 6ME6800CX SANYO DIP | 6ME6800CX.pdf | |
![]() | PDL-644KDLP | PDL-644KDLP SVCC SMD or Through Hole | PDL-644KDLP.pdf | |
![]() | UDN2916A-2 | UDN2916A-2 ALLGERO DIP | UDN2916A-2.pdf | |
![]() | 4050BDR-LF | 4050BDR-LF ON SMD or Through Hole | 4050BDR-LF.pdf | |
![]() | XCV50-4FGG256 | XCV50-4FGG256 XILINX BGA | XCV50-4FGG256.pdf | |
![]() | SMBJ5954BTR-13 | SMBJ5954BTR-13 Microsemi SMBDO-214AA | SMBJ5954BTR-13.pdf |