창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MUR30040CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUR30040CT thru 30060CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 400V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 300A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 100A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 90ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 50V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MUR30040CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MUR30040CTR | |
| 관련 링크 | MUR300, MUR30040CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | TV15C121JB-HF | TVS DIODE 120VWM 193VC SMC | TV15C121JB-HF.pdf | |
![]() | TZB4R200AB10B00 | TZB4R200AB10B00 ORIGINAL SMD or Through Hole | TZB4R200AB10B00.pdf | |
![]() | SL1215470K2r0PF | SL1215470K2r0PF tdkcojp/tefe/eslpdf SL1215-470K2r0-PF | SL1215470K2r0PF.pdf | |
![]() | HP31C153MCXWPEC | HP31C153MCXWPEC HITACHI DIP | HP31C153MCXWPEC.pdf | |
![]() | 8812147208W | 8812147208W TAIOHM SMD or Through Hole | 8812147208W.pdf | |
![]() | DF12(3.0)-50DS-0.5V | DF12(3.0)-50DS-0.5V hrs SMD or Through Hole | DF12(3.0)-50DS-0.5V.pdf | |
![]() | TC35310FG | TC35310FG TOSHIBA SOP | TC35310FG.pdf | |
![]() | XC2C256VQ100-7I | XC2C256VQ100-7I XILINX QFP | XC2C256VQ100-7I.pdf | |
![]() | TAJB105K035R(35V-1.0uF) | TAJB105K035R(35V-1.0uF) AVX SMD or Through Hole | TAJB105K035R(35V-1.0uF).pdf | |
![]() | RC2512JR-071K | RC2512JR-071K YAGEO SMD2512 | RC2512JR-071K.pdf | |
![]() | MDT10P257P | MDT10P257P MDT DIP-28 | MDT10P257P.pdf |