창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MUR2X060A06 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MUR2X060A06 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 독립형 2개 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 600V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 120A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 60A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 90ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 600V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227 | |
표준 포장 | 10 | |
다른 이름 | 1242-1311 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MUR2X060A06 | |
관련 링크 | MUR2X0, MUR2X060A06 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 416F40013ADT | 40MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40013ADT.pdf | |
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![]() | 57F424 | 57F424 S SOP | 57F424.pdf | |
![]() | K4R271669B-WCK7 | K4R271669B-WCK7 SAMSUNG BGA | K4R271669B-WCK7.pdf | |
![]() | KTN2369AS-RTK/AT | KTN2369AS-RTK/AT KEC SOT-23 | KTN2369AS-RTK/AT.pdf | |
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![]() | SS1122 | SS1122 TI SMD or Through Hole | SS1122.pdf | |
![]() | FDC6301N/301 | FDC6301N/301 FAIRCHILD/FSC/ SOT-163 SOT-23-6 | FDC6301N/301.pdf | |
![]() | SDR18-0515 | SDR18-0515 MAX SMD or Through Hole | SDR18-0515.pdf | |
![]() | M5218AFP 600E | M5218AFP 600E JRC SOP-8 | M5218AFP 600E.pdf |