창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MUR20060CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUR20040CT thru 20060CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 600V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.7V @ 50A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 110ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 50V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MUR20060CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MUR20060CTR | |
| 관련 링크 | MUR200, MUR20060CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 6-2176073-9 | RES SMD 2.74KOHM 0.5% 1/32W 0201 | 6-2176073-9.pdf | |
![]() | PLTT0805Z4751AGT5 | RES SMD 4.75KOHM 0.05% 1/4W 0805 | PLTT0805Z4751AGT5.pdf | |
![]() | A16FR20M | A16FR20M IR SMD or Through Hole | A16FR20M.pdf | |
![]() | IXFH10N100/IXFH11N100/IXFH12N100F | IXFH10N100/IXFH11N100/IXFH12N100F IXYS TO-247 | IXFH10N100/IXFH11N100/IXFH12N100F.pdf | |
![]() | M34300-650SP | M34300-650SP MITSUBISHI DIP42 | M34300-650SP.pdf | |
![]() | 474J63 | 474J63 N/A SMD or Through Hole | 474J63.pdf | |
![]() | TEA6220 | TEA6220 ORIGINAL DIP | TEA6220.pdf | |
![]() | AD7862ARS - 10 | AD7862ARS - 10 AD SSOP | AD7862ARS - 10.pdf | |
![]() | 1.30255.4320000 | 1.30255.4320000 C&K SMD or Through Hole | 1.30255.4320000.pdf | |
![]() | DSPIC30F4011-30E/SO4AP | DSPIC30F4011-30E/SO4AP MICROCHIP SMD or Through Hole | DSPIC30F4011-30E/SO4AP.pdf | |
![]() | ECSF1AE685 | ECSF1AE685 Panasonic DIP | ECSF1AE685.pdf | |
![]() | SP8064 | SP8064 SIPEX FLGA16 | SP8064.pdf |