창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MUR20040CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUR20040CT thru 20060CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 400V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 50A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 90ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 50V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MUR20040CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MUR20040CTR | |
| 관련 링크 | MUR200, MUR20040CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | IRS-A334ST02-R1 | IRS-A334ST02-R1 ORIGINAL SMD or Through Hole | IRS-A334ST02-R1.pdf | |
![]() | BU4922G-TR | BU4922G-TR ROHM SSOP5 | BU4922G-TR.pdf | |
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![]() | NJUW4301M | NJUW4301M JRC SOP | NJUW4301M.pdf | |
![]() | 6600187 | 6600187 KIN SMD or Through Hole | 6600187.pdf | |
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![]() | CB160808-300 | CB160808-300 ORIGINAL SMD or Through Hole | CB160808-300.pdf | |
![]() | RGZ-0924D | RGZ-0924D RECOM DIP14 | RGZ-0924D.pdf | |
![]() | 2N4234S | 2N4234S MOTOROLA CAN3 | 2N4234S.pdf |