창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MUR20040CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUR20040CT thru 20060CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 400V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 50A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 90ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 50V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MUR20040CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MUR20040CTR | |
| 관련 링크 | MUR200, MUR20040CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 1N5945A G | DIODE ZENER 68V 1.25W DO204AL | 1N5945A G.pdf | |
![]() | APA2106SURCK | Red 630nm LED Indication - Discrete 1.95V 2-SMD, No Lead | APA2106SURCK.pdf | |
![]() | ERJ-3EKF6490V | RES SMD 649 OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-3EKF6490V.pdf | |
![]() | PNA4618M09VT | PNA4618M09VT PANASONIC DIP-3 | PNA4618M09VT.pdf | |
![]() | DRE201GGU160 | DRE201GGU160 TI BGA | DRE201GGU160.pdf | |
![]() | 47104-0318 | 47104-0318 molex SMD or Through Hole | 47104-0318.pdf | |
![]() | B43501A0107M002 | B43501A0107M002 EPCOS DIP-2 | B43501A0107M002.pdf | |
![]() | HIP5714/7CB | HIP5714/7CB INTERSIL SOP24 | HIP5714/7CB.pdf | |
![]() | ISL8941IP | ISL8941IP INTESIL DIP8 | ISL8941IP.pdf | |
![]() | 16C712 | 16C712 MIC SOP | 16C712.pdf | |
![]() | BER193FE6327 | BER193FE6327 ORIGINAL SMD or Through Hole | BER193FE6327.pdf |