창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-MUR1510 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | MUR1510 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | MUR1510 | |
관련 링크 | MUR1, MUR1510 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | B43501D2227M | 220µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 450 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43501D2227M.pdf | |
![]() | 08051A681FAT2A | 680pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08051A681FAT2A.pdf | |
![]() | SR075A102JAA3159 | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR075A102JAA3159.pdf | |
![]() | M50560-4BGP | M50560-4BGP MIT SOP20M | M50560-4BGP.pdf | |
![]() | D2XB10 | D2XB10 ORIGINAL DIP-2 | D2XB10.pdf | |
![]() | KM416C1204CJ5 | KM416C1204CJ5 Samsung IC EDO DRAM 16M(1M 1 | KM416C1204CJ5.pdf | |
![]() | MC68HC711E200FN2 | MC68HC711E200FN2 MO PLCC | MC68HC711E200FN2.pdf | |
![]() | MM3Z3V9T1 | MM3Z3V9T1 ON SMD or Through Hole | MM3Z3V9T1.pdf | |
![]() | LC86F3448AU | LC86F3448AU SAYO DIP | LC86F3448AU.pdf | |
![]() | M66235FP-200D | M66235FP-200D MIT SOP16 | M66235FP-200D.pdf | |
![]() | RN212-0.5/02 | RN212-0.5/02 Schaffner SMD or Through Hole | RN212-0.5/02.pdf | |
![]() | LZ9GH18 | LZ9GH18 SHARP SMD or Through Hole | LZ9GH18.pdf |