창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MUR115G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MUR120 Series | |
카탈로그 페이지 | 1561 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | SWITCHMODE™ | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 150V | |
전류 -평균 정류(Io) | 1A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 875mV @ 1A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 35ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 150V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | 축방향 | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 175°C | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | MUR115G-ND MUR115GOS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MUR115G | |
관련 링크 | MUR1, MUR115G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 7V-24.000MAHJ-T | 24MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7V-24.000MAHJ-T.pdf | |
![]() | SMBJ5944CE3/TR13 | DIODE ZENER 62V 2W SMBJ | SMBJ5944CE3/TR13.pdf | |
![]() | 5526R-7 | 246nH Unshielded Wirewound Inductor 3A Nonstandard | 5526R-7.pdf | |
![]() | SWS-5.0-23 | 24.7µH Unshielded Toroidal Inductor 5A 13 mOhm Nonstandard | SWS-5.0-23.pdf | |
![]() | GSNL322522-R10M | GSNL322522-R10M ABC 3225 | GSNL322522-R10M.pdf | |
![]() | 6A2EC04ZE0472KDT | 6A2EC04ZE0472KDT ST SMD or Through Hole | 6A2EC04ZE0472KDT.pdf | |
![]() | M5108A | M5108A ORIGINAL ZIP-15 | M5108A.pdf | |
![]() | HSMG-C150(M | HSMG-C150(M AVAGOTECHNOLOGIES SMD or Through Hole | HSMG-C150(M.pdf | |
![]() | VUB120-12N02T | VUB120-12N02T IXYS SMD or Through Hole | VUB120-12N02T.pdf | |
![]() | LH0063AK/883 | LH0063AK/883 NS CAN8 | LH0063AK/883.pdf | |
![]() | 2GBT-RD266EB-H4GGL3 | 2GBT-RD266EB-H4GGL3 Generic Tray | 2GBT-RD266EB-H4GGL3.pdf | |
![]() | GPS282 | GPS282 SHARP SMD or Through Hole | GPS282.pdf |