창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MUR10010CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUR10005CT thru 10020CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 100A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 50A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 75ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 50V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MUR10010CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MUR10010CTR | |
| 관련 링크 | MUR100, MUR10010CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CGS353U040V5L | 35000µF 40V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 15 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | CGS353U040V5L.pdf | |
![]() | A271K15C0GH5TAA | 270pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.098" Dia x 0.150" L(2.50mm x 3.80mm) | A271K15C0GH5TAA.pdf | |
![]() | P51-1500-S-AF-D-20MA-000-000 | Pressure Sensor 1500 PSI (10342.14 kPa) Sealed Gauge Male - 9/16" (14.29mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-1500-S-AF-D-20MA-000-000.pdf | |
![]() | CXP85856A-013S | CXP85856A-013S SONY SMD or Through Hole | CXP85856A-013S.pdf | |
![]() | EMC2104-BP-TR | EMC2104-BP-TR SMSC QFN | EMC2104-BP-TR.pdf | |
![]() | PEB3558F | PEB3558F ORIGINAL QFP-144L | PEB3558F.pdf | |
![]() | GTK45705 | GTK45705 FSC/INF/ TO-247 | GTK45705.pdf | |
![]() | CDP1852 | CDP1852 HARRIS DIP | CDP1852.pdf | |
![]() | 2019-10-07 | 43745 ITT CDIP14 | 2019-10-07.pdf | |
![]() | C0603JRNPO9BN150 | C0603JRNPO9BN150 YAGEO SMD | C0603JRNPO9BN150.pdf | |
![]() | MRF6S19200HSR3 | MRF6S19200HSR3 FREESCAL HV61.9GHZ56W28VNI | MRF6S19200HSR3.pdf |