창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MUR10010CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUR10005CT thru 10020CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 100A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 50A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 75ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 50V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MUR10010CTGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MUR10010CT | |
| 관련 링크 | MUR100, MUR10010CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 12061C681KAT2A | 680pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12061C681KAT2A.pdf | |
![]() | CFR50J4M7 | RES 4.70M OHM 1/2W 5% AXIAL | CFR50J4M7.pdf | |
![]() | Q160SS3303030LF | Q160SS3303030LF jauch SMD or Through Hole | Q160SS3303030LF.pdf | |
![]() | 17519 10 B1 | 17519 10 B1 ORIGINAL NEW | 17519 10 B1.pdf | |
![]() | PPSM1100392 | PPSM1100392 PHILIPS PLCC-28L | PPSM1100392.pdf | |
![]() | BQ20862DBTR-V200 | BQ20862DBTR-V200 TI-BB TSSOP38 | BQ20862DBTR-V200.pdf | |
![]() | MN67434 | MN67434 PANASONIC QFP | MN67434.pdf | |
![]() | 74AHC138N | 74AHC138N ORIGINAL SMD or Through Hole | 74AHC138N.pdf | |
![]() | AD533JN | AD533JN ADI DIP | AD533JN.pdf | |
![]() | TC642ENG | TC642ENG UNK PDIP | TC642ENG.pdf | |
![]() | GS8N60 | GS8N60 GS SMD or Through Hole | GS8N60.pdf | |
![]() | LW Y87SG | LW Y87SG OSRAM SMD or Through Hole | LW Y87SG.pdf |