창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MUN5311DW1T2G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUN5311DW1, NSBC114EPXxx | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Source Addition 26/Nov/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MUN5311DW1T2G | |
| 관련 링크 | MUN5311, MUN5311DW1T2G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | EGPA350ELL222MU35S | 2200µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 21 mOhm 5000 Hrs @ 125°C | EGPA350ELL222MU35S.pdf | |
![]() | BFC237663154 | 0.15µF Film Capacitor 300V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.512" W (31.00mm x 13.00mm) | BFC237663154.pdf | |
![]() | CMB02070X5609GB200 | RES SMD 56 OHM 2% 1W 0207 | CMB02070X5609GB200.pdf | |
![]() | PE1206DRF470R02L | RES SMD 0.02 OHM 0.5% 1W 1206 | PE1206DRF470R02L.pdf | |
![]() | CW02B5K000JS70 | RES 5K OHM 3.75W 5% AXIAL | CW02B5K000JS70.pdf | |
![]() | 0201CS-5N2XJLW | 0201CS-5N2XJLW COILCRAFT SMD or Through Hole | 0201CS-5N2XJLW.pdf | |
![]() | 3VCARDBUS | 3VCARDBUS ENABLE QFP | 3VCARDBUS.pdf | |
![]() | C650 | C650 MOT SOP8 | C650.pdf | |
![]() | LMP8640MK-F/NOPB | LMP8640MK-F/NOPB NSC TSOT-23-6 | LMP8640MK-F/NOPB.pdf | |
![]() | S-817B19AUA-CWIT2G | S-817B19AUA-CWIT2G SEIKO SOT-89 | S-817B19AUA-CWIT2G.pdf |