창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MUN5311DW1T1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MUN5311DW1, NSBC114EPXxx | |
PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Source Addition 26/Nov/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1557 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | - | |
전력 - 최대 | 250mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MUN5311DW1T1GOS MUN5311DW1T1GOS-ND MUN5311DW1T1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MUN5311DW1T1G | |
관련 링크 | MUN5311, MUN5311DW1T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | RT1206CRE073K9L | RES SMD 3.9K OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRE073K9L.pdf | |
![]() | PRG3216P-5231-B-T5 | RES SMD 5.23K OHM 1W 1206 WIDE | PRG3216P-5231-B-T5.pdf | |
![]() | 54.000000MHZ | 54.000000MHZ KDS 7050 | 54.000000MHZ.pdf | |
![]() | 4460BCBSR | 4460BCBSR TexasInstruments SMD or Through Hole | 4460BCBSR.pdf | |
![]() | EXO33C-16.384M | EXO33C-16.384M KSS DIP8 | EXO33C-16.384M.pdf | |
![]() | VJ1206Y682KFB | VJ1206Y682KFB VISHAY SMD | VJ1206Y682KFB.pdf | |
![]() | A0710537 | A0710537 JDSU SMD or Through Hole | A0710537.pdf | |
![]() | B3B-EHA | B3B-EHA JST SMD or Through Hole | B3B-EHA.pdf | |
![]() | 100V153J | 100V153J ORIGINAL SMD or Through Hole | 100V153J.pdf | |
![]() | 74FCT162501ATPVCTG4 | 74FCT162501ATPVCTG4 TI SSOP56 | 74FCT162501ATPVCTG4.pdf | |
![]() | SS0278 | SS0278 ORIGINAL SOP8 | SS0278.pdf | |
![]() | LV5254LG | LV5254LG SANYO FLGA24 | LV5254LG.pdf |