창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MUN5235DW1T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUN5235DW1, NSBC123JDxx | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Source Addition 26/Nov/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 2 NPN - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 2.2k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MUN5235DW1T1G-ND MUN5235DW1T1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MUN5235DW1T1G | |
| 관련 링크 | MUN5235, MUN5235DW1T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805A271JXACW1BC | 270pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805A271JXACW1BC.pdf | |
![]() | OP915 | Photodiode | OP915.pdf | |
![]() | 453010 | 453010 ORIGINAL SMD or Through Hole | 453010.pdf | |
![]() | SKKD162-12 | SKKD162-12 ORIGINAL SMD or Through Hole | SKKD162-12.pdf | |
![]() | CXD2088Q | CXD2088Q SONY QFP | CXD2088Q.pdf | |
![]() | AD8567-A | AD8567-A AD TSSOP14 | AD8567-A.pdf | |
![]() | G4K-1112P-US-DC05 | G4K-1112P-US-DC05 OMRON SMD or Through Hole | G4K-1112P-US-DC05.pdf | |
![]() | B1149 | B1149 NEC TO-126 | B1149.pdf | |
![]() | 4651E | 4651E SAMSUNG BGA | 4651E.pdf | |
![]() | SST37VF010-70-3C | SST37VF010-70-3C SST TSSOP | SST37VF010-70-3C.pdf | |
![]() | TIP47-S | TIP47-S BOURNS SMD or Through Hole | TIP47-S.pdf | |
![]() | SMF33AT/R | SMF33AT/R PANJIT SOD-123FL | SMF33AT/R.pdf |