홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » MUN5137T1G

ON Semiconductor MUN5137T1G

MUN5137T1G
제조업체 부품 번호
MUN5137T1G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
MUN5137T1G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 39.90728
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 MUN5137T1G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. MUN5137T1G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. MUN5137T1G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
MUN5137T1G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
MUN5137T1G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-MUN5137T1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MUN(2,5)137, DTA144Wxx, NSBA144WF3
PCN 단종/ EOLMultiple Devices 30/Jun/2006
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)47k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)22k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대202mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-70, SOT-323
공급 장치 패키지SC-70-3(SOT323)
표준 포장 3,000
다른 이름MUN5137T1GOS
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)MUN5137T1G
관련 링크MUN513, MUN5137T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
MUN5137T1G 의 관련 제품
RES SMD 1.3K OHM 5% 1/20W 0201 RC0201JR-071K3L.pdf
RES 0.1 OHM 10W 5% AXIAL CP0010R1000JE14.pdf
MBRF10U100CT-U/P KEC SMD or Through Hole MBRF10U100CT-U/P.pdf
U6047B+ N/A SMD or Through Hole U6047B+.pdf
ELJ-RG12NJF PANASONIC SMD ELJ-RG12NJF.pdf
RW2A474M0811M SAMWHA SMD or Through Hole RW2A474M0811M.pdf
APD-300L UDTOSI TO-46 APD-300L.pdf
MSM5577RS OKI SMD or Through Hole MSM5577RS.pdf
NCP1652ADG ON SOP-16 NCP1652ADG.pdf
ZXT14N50DX ZETEX SOT-163 ZXT14N50DX.pdf
71014DC , ORIGINAL PLCC 71014DC ,.pdf
LY2508A33M LIANYI SOT23-3 LY2508A33M.pdf