ON Semiconductor MUN5113T3G

MUN5113T3G
제조업체 부품 번호
MUN5113T3G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
MUN5113T3G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 24.24090
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 MUN5113T3G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. MUN5113T3G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. MUN5113T3G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
MUN5113T3G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
MUN5113T3G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-MUN5113T3G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MUNx113, MMUN2113L, DTA144Exx, NSBA144EF3
PCN 설계/사양Copper Wire 29/Oct/2009
PCN 조립/원산지Wafer Source Addition 26/Nov/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)47k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)47k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대202mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-70, SOT-323
공급 장치 패키지SC-70-3(SOT323)
표준 포장 10,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)MUN5113T3G
관련 링크MUN511, MUN5113T3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
MUN5113T3G 의 관련 제품
FUSE GLASS 2.25A 250VAC 125VDC 02302.25HXP.pdf
RES SMD 140 OHM 1% 1/4W 1206 CR1206-FX-1400ELF.pdf
T15.1N200COC AEG SMD or Through Hole T15.1N200COC.pdf
MC68C030RP40C MOT PGA MC68C030RP40C.pdf
PMB2800FV3.2P2 SIEMENS TQFP144 PMB2800FV3.2P2.pdf
OPA620P BB DIP-8 OPA620P.pdf
FSCM27014MFR/PN NS SPACE-16 FSCM27014MFR/PN.pdf
BC212013B CSR BGA BC212013B.pdf
OP42020 MAGNETICS SMD or Through Hole OP42020.pdf
AT24C16BN-10TI-1.8 ATMEL TSSOP8 AT24C16BN-10TI-1.8.pdf
X02127-002 XBOX360 Microsoft BGA X02127-002 XBOX360.pdf
2SD2537 T101V(DVV) NEC SOT89 2SD2537 T101V(DVV).pdf