홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » MUN5112T1G

ON Semiconductor MUN5112T1G

MUN5112T1G
제조업체 부품 번호
MUN5112T1G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
MUN5112T1G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 23.57373
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 MUN5112T1G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. MUN5112T1G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. MUN5112T1G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
MUN5112T1G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
MUN5112T1G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-MUN5112T1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MUNx112, MMUN2112L, DTA124Exx, NSBA124EF3
PCN 설계/사양Copper Wire 29/Oct/2009
PCN 조립/원산지Wafer Source Addition 26/Nov/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)22k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)22k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 10V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대202mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-70, SOT-323
공급 장치 패키지SC-70-3(SOT323)
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)MUN5112T1G
관련 링크MUN511, MUN5112T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
MUN5112T1G 의 관련 제품
SCR PHASE CTRL 800V 35A TO247AC VS-40TPS08PBF.pdf
LUCENT2768A LUCENT PLCC LUCENT2768A.pdf
UC3842BDIR2G ON SOP-8 UC3842BDIR2G.pdf
10762A88 ORIGINAL SSOP-36 10762A88.pdf
M30624MG-EJ7FP RENESAS QFP M30624MG-EJ7FP.pdf
S-8261ABPMD-G3P SEIKO SOT-23-6 S-8261ABPMD-G3P.pdf
68WBY00008P ORIGINAL SMD or Through Hole 68WBY00008P.pdf
MC-03-8466 ORIGINAL SMD or Through Hole MC-03-8466.pdf
D10DF6 ORIGINAL TO-126 D10DF6.pdf
1N4735A-A-99-R0 HY DO-41 1N4735A-A-99-R0.pdf
TMDS442PNPRG4 TI SMD or Through Hole TMDS442PNPRG4.pdf