홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » MUN2212T1G

ON Semiconductor MUN2212T1G

MUN2212T1G
제조업체 부품 번호
MUN2212T1G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
데이터 시트 다운로드
다운로드
MUN2212T1G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 23.35133
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 MUN2212T1G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. MUN2212T1G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. MUN2212T1G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
MUN2212T1G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
MUN2212T1G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-MUN2212T1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MUN(2,5)212, MMUN2212L, DTC1234Exx, NSBC124EF3
PCN 설계/사양Copper Wire 29/Oct/2009
PCN 조립/원산지Wafer Source Addition 26/Nov/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)22k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)22k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 10V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대338mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SC-59
표준 포장 3,000
다른 이름MUN2212T1GOS
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)MUN2212T1G
관련 링크MUN221, MUN2212T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
MUN2212T1G 의 관련 제품
RES SMD 1.4 OHM 1% 1/10W 0603 RC0603FR-071R4L.pdf
HD43583LR HIT TQFP-6014x14 HD43583LR.pdf
TA8628N TOS DIP TA8628N.pdf
2N2915 MOT CAN6 2N2915.pdf
74HCT74M1TR ST SOP-14 74HCT74M1TR.pdf
408532964 AMP SMD or Through Hole 408532964.pdf
330uf16VE avetron SMD or Through Hole 330uf16VE.pdf
NBS16G2-102 ORIGINAL SOP NBS16G2-102.pdf
3820000000000 ORIGINAL SMD or Through Hole 3820000000000.pdf
HT46R232-P5 HT SSOP HT46R232-P5.pdf
MAX3232ECUE+ MAXIM TSSOP16 MAX3232ECUE+.pdf