ON Semiconductor MUN2212T1G

MUN2212T1G
제조업체 부품 번호
MUN2212T1G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
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TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
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내부 부품 번호EIS-MUN2212T1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MUN(2,5)212, MMUN2212L, DTC1234Exx, NSBC124EF3
PCN 설계/사양Copper Wire 29/Oct/2009
PCN 조립/원산지Wafer Source Addition 26/Nov/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)22k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)22k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 10V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대338mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SC-59
표준 포장 3,000
다른 이름MUN2212T1GOS
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)MUN2212T1G
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