창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MTMC8E2A0LBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MTMC8E2A0LBF View all Specifications | |
제품 교육 모듈 | MOSFETs for Power Management | |
주요제품 | Wearables Technology Components | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1483 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 21m옴 @ 2A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.3V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1450pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
공급 장치 패키지 | W미니8-F1 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MTMC8E2A0LBFTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MTMC8E2A0LBF | |
관련 링크 | MTMC8E2, MTMC8E2A0LBF 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 |
![]() | MRF8S18210WHSR5 | FET RF 65V 1.93GHZ NI880XS3 | MRF8S18210WHSR5.pdf | |
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![]() | C2012C-R47J | C2012C-R47J SAGAMI SMD or Through Hole | C2012C-R47J.pdf | |
![]() | AIT1051RS30P9 | AIT1051RS30P9 AND Call | AIT1051RS30P9.pdf | |
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![]() | ANTB | ANTB N/A N A | ANTB.pdf | |
![]() | BD7915 | BD7915 BD SSOP | BD7915.pdf | |
![]() | K7J161882B-EC25000 | K7J161882B-EC25000 SAMSUNG BGAPB | K7J161882B-EC25000.pdf | |
![]() | TLV2262ACD | TLV2262ACD TI SOP-8 | TLV2262ACD.pdf | |
![]() | XC3042APQ100C-7 | XC3042APQ100C-7 XILINX QFP | XC3042APQ100C-7.pdf | |
![]() | N82A203 | N82A203 INTEL PLCC68 | N82A203.pdf |