창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MTM861240LBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MTM86124 | |
| 주요제품 | Wearables Technology Components | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 130m옴 @ 1A, 4V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.3V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 400pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 540mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | WSS미니i6-F1 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | MTM861240LBFTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MTM861240LBF | |
| 관련 링크 | MTM8612, MTM861240LBF 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 | |
![]() | RT0402FRD0729R4L | RES SMD 29.4 OHM 1% 1/16W 0402 | RT0402FRD0729R4L.pdf | |
![]() | 4606H-102-203LF | RES ARRAY 3 RES 20K OHM 6SIP | 4606H-102-203LF.pdf | |
![]() | P51-500-A-AA-MD-5V-000-000 | Pressure Sensor 500 PSI (3447.38 kPa) Absolute Male - 7/16" (11.11mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-500-A-AA-MD-5V-000-000.pdf | |
![]() | PMB9837 | PMB9837 ERICSSON PLCC | PMB9837.pdf | |
![]() | SS6680-P22CV | SS6680-P22CV SILICON SOT25 | SS6680-P22CV.pdf | |
![]() | 212500 | 212500 AnaChip SMD or Through Hole | 212500.pdf | |
![]() | 29EE512-90-4C-PH | 29EE512-90-4C-PH SST DIP32 | 29EE512-90-4C-PH.pdf | |
![]() | SM5808BP | SM5808BP NPC DIP | SM5808BP.pdf | |
![]() | MS412FL26E | MS412FL26E ORIGINAL SMD or Through Hole | MS412FL26E.pdf | |
![]() | 595D157X0010D2TE3 | 595D157X0010D2TE3 VISHAY SMD | 595D157X0010D2TE3.pdf | |
![]() | IBM39STB | IBM39STB ORIGINAL BGA | IBM39STB.pdf | |
![]() | JAN2N4858 | JAN2N4858 MOT CAN3 | JAN2N4858.pdf |