창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MST51510S-SDRAM | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | MST51510S-SDRAM | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | TQFP-L176P | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | MST51510S-SDRAM | |
| 관련 링크 | MST51510S, MST51510S-SDRAM 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
| AT-8.000MAPQ-T | 8MHz ±30ppm 수정 10pF 120옴 -40°C ~ 105°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | AT-8.000MAPQ-T.pdf | ||
![]() | 416F374XXASR | 37.4MHz ±15ppm 수정 시리즈 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F374XXASR.pdf | |
![]() | SQ3410EV-T1_GE3 | MOSFET N-CH 30V 8A TSOP-6 | SQ3410EV-T1_GE3.pdf | |
![]() | EXB-E10C124J | RES ARRAY 8 RES 120K OHM 1608 | EXB-E10C124J.pdf | |
![]() | 4306R-102-330LF | RES ARRAY 3 RES 33 OHM 6SIP | 4306R-102-330LF.pdf | |
![]() | ELXQ161VSN152MQ50S | ELXQ161VSN152MQ50S NIPPON DIP | ELXQ161VSN152MQ50S.pdf | |
![]() | 108612953 | 108612953 POWERTRENDS SMD or Through Hole | 108612953.pdf | |
![]() | KBK18E000A-D419 | KBK18E000A-D419 N/A BGA | KBK18E000A-D419.pdf | |
![]() | PHE840MD7150MD19R06 | PHE840MD7150MD19R06 EVOX RIFA SMD or Through Hole | PHE840MD7150MD19R06.pdf | |
![]() | IXGH24N170A/IXGH24N170AH1 | IXGH24N170A/IXGH24N170AH1 IXYS TO-247 | IXGH24N170A/IXGH24N170AH1.pdf | |
![]() | ELJNJ33NGF2 | ELJNJ33NGF2 PANASNONIC SMD | ELJNJ33NGF2.pdf |