창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MSRTA60080(A) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MSRTA60060 thru 600100(A) Three Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 800V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 600A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 600A | |
속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 600V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 3 타워형 | |
공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | MSRTA60080(A)GN MSRTA60080A | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MSRTA60080(A) | |
관련 링크 | MSRTA60, MSRTA60080(A) 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | RDER73A333K4K1H03B | 0.033µF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.295" L x 0.157" W(7.50mm x 4.00mm) | RDER73A333K4K1H03B.pdf | |
![]() | ATV04A221J-HF | TVS DIODE 220VWM 356VC DO214AC | ATV04A221J-HF.pdf | |
![]() | LP049F33CET | 4.9152MHz ±30ppm 수정 20pF 120옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP049F33CET.pdf | |
![]() | 450-0101 | MODFLEX MGE WITH PROFLEX01-R2 | 450-0101.pdf | |
![]() | AH183-PL | AH183-PL ORIGINAL SIP3 | AH183-PL.pdf | |
![]() | 2SC5053 T100Q | 2SC5053 T100Q ROHM SOT89 | 2SC5053 T100Q.pdf | |
![]() | 3F9454BZZSK-94 | 3F9454BZZSK-94 SAMSUNG SOP20 | 3F9454BZZSK-94.pdf | |
![]() | ID240G10 | ID240G10 SHARP SMD or Through Hole | ID240G10.pdf | |
![]() | KS74HCTLS794N | KS74HCTLS794N ORIGINAL DIP | KS74HCTLS794N.pdf | |
![]() | EP2C8F256I7N | EP2C8F256I7N ALTERA BGA | EP2C8F256I7N.pdf | |
![]() | MGS648636GG | MGS648636GG AMD SMD or Through Hole | MGS648636GG.pdf |