홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 다이오드, 정류기 - 어레이 » MSRTA300120(A)D

GeneSiC Semiconductor MSRTA300120(A)D

MSRTA300120(A)D
제조업체 부품 번호
MSRTA300120(A)D
제조업 자
제품 카테고리
다이오드, 정류기 - 어레이
간단한 설명
DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER
데이터 시트 다운로드
다운로드
MSRTA300120(A)D 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 67,459.40000
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 MSRTA300120(A)D 재고가 있습니다. 우리는 GeneSiC Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 GeneSiC Semiconductor 전자 부품 전문. MSRTA300120(A)D 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. MSRTA300120(A)D가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
MSRTA300120(A)D 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
MSRTA300120(A)D 매개 변수
내부 부품 번호EIS-MSRTA300120(A)D
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MSRTA30080 thru 300160(A)
Three Tower Pkg Drawing
종류이산 소자 반도체 제품
제품군다이오드, 정류기 - 어레이
제조업체GeneSiC Semiconductor
계열-
포장벌크
부품 현황유효
다이오드 구성직렬 연결 1쌍
다이오드 유형표준
전압 - DC 역방향(Vr)(최대)1200V(1.2kV)
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당)300A(DC)
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If1.2V @ 300A
속도표준 회복 >500ns, > 200mA(Io)
역회복 시간(trr)-
전류 - 역누설 @ Vr25µA @ 200V
실장 유형섀시 실장
패키지/케이스3 타워형
공급 장치 패키지3 타워형
표준 포장 18
다른 이름MSRTA300120(A)DGN
MSRTA300120(A)GN
MSRTA300120(A)GN-ND
MSRTA300120A
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)MSRTA300120(A)D
관련 링크MSRTA3001, MSRTA300120(A)D 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통
MSRTA300120(A)D 의 관련 제품
FUSE GLASS 2.5A 250VAC 0034.5233.TR.pdf
125MHz ~ 169.999MHz CMOS, Dual (Complimentary) XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 26mA Enable/Disable 511SBB-BBAG.pdf
RES SMD 95.3 OHM 0.05% 1/8W 0805 RT0805WRC0795R3L.pdf
74FCT164245TPV IDT SMD or Through Hole 74FCT164245TPV.pdf
533TFK PHI SMD or Through Hole 533TFK.pdf
95020-WDW6TP STM TSSOP-8 95020-WDW6TP.pdf
24FC32P CATALYST DIP-8P 24FC32P.pdf
BSP75H ORIGINAL SOT-223 BSP75H.pdf
M37418M6-261SP MIT SMD or Through Hole M37418M6-261SP.pdf
EMVA6R3GTR682MMH0S Chemi-con NA EMVA6R3GTR682MMH0S.pdf
H11C53S FSC/INF/VIS DIPSOP H11C53S.pdf
LT10811S LT SOP-16 LT10811S.pdf