창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MSRT250140(A) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Three Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 1400V(1.4kV) | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 250A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 250A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 15µA @ 600V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 3 타워형 | |
| 공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MSRT250140(A)GN MSRT250140A | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MSRT250140(A) | |
| 관련 링크 | MSRT250, MSRT250140(A) 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 6.3ZLH820MEFCTA8X11.5 | 820µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 8000 Hrs @ 105°C | 6.3ZLH820MEFCTA8X11.5.pdf | |
| AM-16.9344MAHV-T | 16.9344MHz ±30ppm 수정 8pF 100옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | AM-16.9344MAHV-T.pdf | ||
![]() | SIT9120AI-2C1-25E25.000000T | OSC XO 2.5V 25MHZ | SIT9120AI-2C1-25E25.000000T.pdf | |
![]() | 752163152GP | RES ARRAY 8 RES 1.5K OHM 16DRT | 752163152GP.pdf | |
![]() | CMF553K5700FHEB | RES 3.57K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF553K5700FHEB.pdf | |
![]() | SFR16S0006203JA500 | RES 620K OHM 1/2W 5% AXIAL | SFR16S0006203JA500.pdf | |
![]() | CMF701M0000BHRE | RES 1M OHM 1.75W 0.1% AXIAL | CMF701M0000BHRE.pdf | |
![]() | P51-1000-A-J-D-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Absolute Male - 3/8" (9.52mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-1000-A-J-D-4.5OVP-000-000.pdf | |
![]() | GT-256 | GT-256 ORIGINAL SMD or Through Hole | GT-256.pdf | |
![]() | C1005C0G1H330FT000F | C1005C0G1H330FT000F TDK SMD | C1005C0G1H330FT000F.pdf | |
![]() | M5926 | M5926 PHI QFN | M5926.pdf |