창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MSRT20080(A) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MSRT20060 thru 200100(A) Three Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 800V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 600V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 3 타워형 | |
| 공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MSRT20080(A)GN MSRT20080A | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MSRT20080(A) | |
| 관련 링크 | MSRT200, MSRT20080(A) 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SMDA24-6/TR7 | TVS DIODE 24VWM 55VC 8SOIC | SMDA24-6/TR7.pdf | |
![]() | CDRH6D28NP-680NC | 68µH Shielded Inductor 650mA 304 mOhm Max Nonstandard | CDRH6D28NP-680NC.pdf | |
| VLCF4028T-470MR48-2 | 47µH Shielded Wirewound Inductor 480mA 490 mOhm Max Nonstandard | VLCF4028T-470MR48-2.pdf | ||
![]() | PVU414S-TPBF | Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) 6-SMD (0.300", 7.62mm) | PVU414S-TPBF.pdf | |
![]() | 75ALS170A | 75ALS170A NS SMD | 75ALS170A.pdf | |
![]() | C2012CH2E152J | C2012CH2E152J TDK SMD or Through Hole | C2012CH2E152J.pdf | |
![]() | Z86C9524FSC | Z86C9524FSC Zilog QFP-80 | Z86C9524FSC.pdf | |
![]() | K496 | K496 NEC TO-220 | K496.pdf | |
![]() | N2SV12816DS-6K | N2SV12816DS-6K ELIXIR TSOP | N2SV12816DS-6K.pdf | |
![]() | 7MBP50RTJ060 | 7MBP50RTJ060 FUJI SMD or Through Hole | 7MBP50RTJ060.pdf | |
![]() | ERG51-12 | ERG51-12 FUJI SMD or Through Hole | ERG51-12.pdf | |
![]() | CRSE-10-R/G | CRSE-10-R/G ORIGINAL 1210 | CRSE-10-R/G.pdf |