창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MSRT20060(A) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MSRT20060 thru 200100(A) Three Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 600V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 600V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 3 타워형 | |
| 공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MSRT20060(A)GN MSRT20060A | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MSRT20060(A) | |
| 관련 링크 | MSRT200, MSRT20060(A) 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 5500R-823K | 82µH Unshielded Inductor 3.88A 66 mOhm Max Nonstandard | 5500R-823K.pdf | |
![]() | RIC24C256-SE | RIC24C256-SE RAMTRON SOP8 208mil | RIC24C256-SE.pdf | |
![]() | AD503TH/883 | AD503TH/883 AD CAN8 | AD503TH/883.pdf | |
![]() | TMS4C1024D | TMS4C1024D TI SOJ20 | TMS4C1024D.pdf | |
![]() | NDF03N60ZH | NDF03N60ZH ON TO-220FP | NDF03N60ZH.pdf | |
![]() | BOXDG43GT 902217 | BOXDG43GT 902217 INTEL SMD or Through Hole | BOXDG43GT 902217.pdf | |
![]() | PM355BIAZ | PM355BIAZ PMI DIP | PM355BIAZ.pdf | |
![]() | UMH10 N TR | UMH10 N TR ROHM H10 363 | UMH10 N TR.pdf | |
![]() | UCC3837D-5 | UCC3837D-5 TI TO-263-3 | UCC3837D-5.pdf | |
![]() | N80HF 0312 | N80HF 0312 TOKO SMD or Through Hole | N80HF 0312.pdf | |
![]() | NE701 | NE701 PHILIPS SOP8 | NE701.pdf | |
![]() | LB8100M | LB8100M SANYO SMD or Through Hole | LB8100M.pdf |