홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 다이오드, 정류기 - 어레이 » MSRT200160(A)D

GeneSiC Semiconductor MSRT200160(A)D

MSRT200160(A)D
제조업체 부품 번호
MSRT200160(A)D
제조업 자
제품 카테고리
다이오드, 정류기 - 어레이
간단한 설명
DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
데이터 시트 다운로드
다운로드
MSRT200160(A)D 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 65,050.12000
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 MSRT200160(A)D 재고가 있습니다. 우리는 GeneSiC Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 GeneSiC Semiconductor 전자 부품 전문. MSRT200160(A)D 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. MSRT200160(A)D가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
MSRT200160(A)D 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
MSRT200160(A)D 매개 변수
내부 부품 번호EIS-MSRT200160(A)D
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MSRT200120(A)D thru MSRT200160(A)D
종류이산 소자 반도체 제품
제품군다이오드, 정류기 - 어레이
제조업체GeneSiC Semiconductor
계열-
포장벌크
부품 현황유효
다이오드 구성직렬 연결 1쌍
다이오드 유형표준
전압 - DC 역방향(Vr)(최대)1600V(1.6kV)
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당)200A
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If1.1V @ 200A
속도표준 회복 >500ns, > 200mA(Io)
역회복 시간(trr)-
전류 - 역누설 @ Vr10µA @ 1600V
실장 유형섀시 실장
패키지/케이스3 타워형
공급 장치 패키지3 타워형
표준 포장 25
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)MSRT200160(A)D
관련 링크MSRT2001, MSRT200160(A)D 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통
MSRT200160(A)D 의 관련 제품
0.30pF 200V 세라믹 커패시터 A 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) UQCL2A0R3BAT2A\500.pdf
50MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 35mA Enable/Disable ECS-3963-500-AU-TR.pdf
MT55L128L18FI MICRON QFP MT55L128L18FI.pdf
MMBTFJ310LT1 ORIGINAL SMD or Through Hole MMBTFJ310LT1.pdf
TPS3707-50DRG4 TI SOP8 TPS3707-50DRG4.pdf
SD8262B SD DIP-18 SD8262B.pdf
A10M20A-PL84C ORIGINAL PLCC A10M20A-PL84C.pdf
24Kphm F (243) INFNEON SMD or Through Hole 24Kphm F (243).pdf
ICM7556IDP NS DIP ICM7556IDP.pdf
AD706ARZREEL7 ADI SOIC8 AD706ARZREEL7.pdf
71106E1806SN301 Amphenol SMD or Through Hole 71106E1806SN301.pdf