홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 다이오드, 정류기 - 어레이 » MSRT200160(A)

GeneSiC Semiconductor MSRT200160(A)

MSRT200160(A)
제조업체 부품 번호
MSRT200160(A)
제조업 자
제품 카테고리
다이오드, 정류기 - 어레이
간단한 설명
DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER
데이터 시트 다운로드
다운로드
MSRT200160(A) 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 57,822.32000
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 MSRT200160(A) 재고가 있습니다. 우리는 GeneSiC Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 GeneSiC Semiconductor 전자 부품 전문. MSRT200160(A) 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. MSRT200160(A)가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
MSRT200160(A) 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
MSRT200160(A) 매개 변수
내부 부품 번호EIS-MSRT200160(A)
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서Three Tower Pkg Drawing
MSRT200120(A)D thru MSRT200160(A)D
종류이산 소자 반도체 제품
제품군다이오드, 정류기 - 어레이
제조업체GeneSiC Semiconductor
계열-
포장벌크
부품 현황유효
다이오드 구성공통 음극 1쌍
다이오드 유형표준
전압 - DC 역방향(Vr)(최대)1600V(1.6kV)
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당)200A(DC)
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If1.2V @ 200A
속도표준 회복 >500ns, > 200mA(Io)
역회복 시간(trr)-
전류 - 역누설 @ Vr10µA @ 600V
실장 유형섀시 실장
패키지/케이스3 타워형
공급 장치 패키지3 타워형
표준 포장 25
다른 이름MSRT200160(A)GN
MSRT200160A
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)MSRT200160(A)
관련 링크MSRT200, MSRT200160(A) 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통
MSRT200160(A) 의 관련 제품
TVS DIODE 28.2VWM 59VC DO15 BZW04-28B.pdf
RES ARRAY 4 RES 2.2 OHM 1206 YC164-JR-072R2L.pdf
PTZTE25 13B ROHM DO214A PTZTE25 13B.pdf
P22NF03L ST SMD or Through Hole P22NF03L.pdf
512R YAGEO SMD0603 512R.pdf
CA531229C HARRIS SMD or Through Hole CA531229C.pdf
MH4M144DCXTJ6/M5M465160DTP6 MIT DIMM MH4M144DCXTJ6/M5M465160DTP6.pdf
SSM2211SZ=REEL ADI SMD or Through Hole SSM2211SZ=REEL.pdf
1N6130AJAN Microsemi NA 1N6130AJAN.pdf
HTSICH4801EW/V7，00 NXP NAU000 HTSICH4801EW/V7，00.pdf
MPC7448HX ORIGINAL BGA MPC7448HX.pdf
2SA1037 SMD ROHM SOT-23 2SA1037 SMD.pdf