창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MSRT200100(A)D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MSRT20060(A)D thru MSRT200100(A)D | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 직렬 연결 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 1000V(1kV) | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1000V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 3 타워형 | |
| 공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MSRT200100(A)D | |
| 관련 링크 | MSRT2001, MSRT200100(A)D 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | B88069X5411S102 | EM 900X | B88069X5411S102.pdf | |
![]() | CM309E19660800BCKT | 19.6608MHz ±50ppm 수정 20pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | CM309E19660800BCKT.pdf | |
![]() | RT0603DRE072K61L | RES SMD 2.61KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRE072K61L.pdf | |
![]() | CMF7025R000DHR6 | RES 25 OHM 1.75W 0.5% AXIAL | CMF7025R000DHR6.pdf | |
![]() | SG33079 | SG33079 ST SOP | SG33079.pdf | |
![]() | LC78684E-USH-E | LC78684E-USH-E N QFP | LC78684E-USH-E.pdf | |
![]() | DM74367J/883C | DM74367J/883C NS DIP | DM74367J/883C.pdf | |
![]() | 1K38L03CP | 1K38L03CP ORIGINAL QFP | 1K38L03CP.pdf | |
![]() | MF55D1R50FT52 | MF55D1R50FT52 KOA SMD or Through Hole | MF55D1R50FT52.pdf | |
![]() | PMEG6020ER | PMEG6020ER NXP SMD or Through Hole | PMEG6020ER.pdf | |
![]() | VC5700/VC6700 | VC5700/VC6700 ST SMD or Through Hole | VC5700/VC6700.pdf | |
![]() | IRKU105-04A | IRKU105-04A IOR ADD-A-Pak | IRKU105-04A.pdf |