창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MSRT200100(A) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MSRT20060 thru 200100(A) Three Tower Pkg Drawing  | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 1000V(1kV) | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 600V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 3 타워형 | |
| 공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MSRT200100(A)GN  MSRT200100A  | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MSRT200100(A) | |
| 관련 링크 | MSRT200, MSRT200100(A) 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]()  | 250WXA4.7MEFCTA8X9 | 4.7µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | 250WXA4.7MEFCTA8X9.pdf | |
![]()  | S07K35 | VARISTOR 56V 250A DISC 7MM | S07K35.pdf | |
![]()  | TX2SA-LT-4.5V-TH | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) 4.5VDC Coil Surface Mount | TX2SA-LT-4.5V-TH.pdf | |
![]()  | RT1210DRD0745R3L | RES SMD 45.3 OHM 0.5% 1/4W 1210 | RT1210DRD0745R3L.pdf | |
![]()  | JR3N14 | JR3N14 ORIGINAL DIP | JR3N14.pdf | |
![]()  | A1010B-1PL68C | A1010B-1PL68C ACTEK PLCC | A1010B-1PL68C.pdf | |
![]()  | D41256L-80 | D41256L-80 NEC SOJ | D41256L-80.pdf | |
![]()  | SYH-2170LH-1 | SYH-2170LH-1 MCL SMD or Through Hole | SYH-2170LH-1.pdf | |
![]()  | LE28FV451T-MP8 | LE28FV451T-MP8 SANYO TSOP | LE28FV451T-MP8.pdf | |
![]()  | EP1SGX25F672C6 | EP1SGX25F672C6 ALTERA BGA | EP1SGX25F672C6.pdf | |
![]()  | HMBK393 | HMBK393 KIT SMD or Through Hole | HMBK393.pdf | |
![]()  | 22-01-1022 | 22-01-1022 MOLEX SMD or Through Hole | 22-01-1022.pdf |