창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MSRT200100(A) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MSRT20060 thru 200100(A) Three Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 1000V(1kV) | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 600V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 3 타워형 | |
| 공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MSRT200100(A)GN MSRT200100A | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MSRT200100(A) | |
| 관련 링크 | MSRT200, MSRT200100(A) 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D8R2DLCAC | 8.2pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D8R2DLCAC.pdf | |
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![]() | Z202 | Z202 ST SOP-8 | Z202.pdf | |
![]() | M27256B | M27256B MIT DIP | M27256B.pdf | |
![]() | 0805(20K)/4K32 | 0805(20K)/4K32 ORIGINAL SMD | 0805(20K)/4K32.pdf | |
![]() | RC0402FR-07422R | RC0402FR-07422R YAGEO SMD or Through Hole | RC0402FR-07422R.pdf | |
![]() | DPM942 | DPM942 LASCAR SMD or Through Hole | DPM942.pdf | |
![]() | 110-97-642-41-001000 | 110-97-642-41-001000 PRECI-DIP SMD or Through Hole | 110-97-642-41-001000.pdf |