창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MSRT150120(A)D | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 25 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 직렬 연결 1쌍 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 1200V(1.2kV) | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 150A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 150A | |
속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1200V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 3 타워형 | |
공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MSRT150120(A)D | |
관련 링크 | MSRT1501, MSRT150120(A)D 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | FA-238 19.2000MB-C0 | 19.2MHz ±50ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238 19.2000MB-C0.pdf | |
![]() | DSC1103AE1-083.3300 | 83.33MHz LVDS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 32mA Standby (Power Down) | DSC1103AE1-083.3300.pdf | |
![]() | C5SME-RJN-CT14QBB1 | Red 621nm LED Indication - Discrete 2.1V Radial | C5SME-RJN-CT14QBB1.pdf | |
![]() | RCS08057R50FKEA | RES SMD 7.5 OHM 1% 0.4W 0805 | RCS08057R50FKEA.pdf | |
![]() | NXFT15WF104FA2B090 | NTC Thermistor 100k Bead | NXFT15WF104FA2B090.pdf | |
![]() | MC74LVX373DWR2 | MC74LVX373DWR2 ON SMD or Through Hole | MC74LVX373DWR2.pdf | |
![]() | 104J2KV | 104J2KV ORIGINAL SMD or Through Hole | 104J2KV.pdf | |
![]() | H3306-7S/800 | H3306-7S/800 ORIGINAL SMD or Through Hole | H3306-7S/800.pdf | |
![]() | MB10180C-G | MB10180C-G ORIGINAL DIP16 | MB10180C-G.pdf | |
![]() | TRF240 | TRF240 IR TO-220 | TRF240.pdf | |
![]() | XC3S200-VQG100EGQ | XC3S200-VQG100EGQ ORIGINAL QFP100 | XC3S200-VQG100EGQ.pdf |