창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MSRT150120(A) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MSRT150120 thru 150160(A) Three Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 150A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 150A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 600V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 3 타워형 | |
| 공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MSRT150120(A)GN MSRT150120A | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MSRT150120(A) | |
| 관련 링크 | MSRT150, MSRT150120(A) 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | PD0070WH50138BJ2 | 500pF 13000V(13kV) 세라믹 커패시터 R85 디스크, 금속 피팅 - 스레딩 2.756"(70.00mm) Dia | PD0070WH50138BJ2.pdf | |
![]() | HK1005R15J-T-150N | HK1005R15J-T-150N TY SMD | HK1005R15J-T-150N.pdf | |
![]() | NFS110-7624 | NFS110-7624 artesyn SMD or Through Hole | NFS110-7624.pdf | |
![]() | 6531235KQ | 6531235KQ MIDTEX/TYCO SMD or Through Hole | 6531235KQ.pdf | |
![]() | LVC08FP-E | LVC08FP-E ORIGINAL SMD or Through Hole | LVC08FP-E.pdf | |
![]() | CT25664BA1339.8FD | CT25664BA1339.8FD CRUCIAL SMD or Through Hole | CT25664BA1339.8FD.pdf | |
![]() | HIP6012CP | HIP6012CP INTERSIL SOP-14 | HIP6012CP.pdf | |
![]() | WD3-110S09 | WD3-110S09 MAX SMD or Through Hole | WD3-110S09.pdf | |
![]() | LSA0049 | LSA0049 TRO BGA | LSA0049.pdf | |
![]() | B30811D5102Y313 | B30811D5102Y313 Epcos SMD or Through Hole | B30811D5102Y313.pdf | |
![]() | HYMD264646B8J-J | HYMD264646B8J-J Hynix SMD or Through Hole | HYMD264646B8J-J.pdf | |
![]() | WB1C688M1835M | WB1C688M1835M samwha DIP-2 | WB1C688M1835M.pdf |