GeneSiC Semiconductor MSRT100120(A)D
- 제조업체 부품 번호
- MSRT100120(A)D
- 제조업 자
- GeneSiC Semiconductor
- 제품 카테고리
- 다이오드, 정류기 - 어레이
- 간단한 설명
- DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
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MSRT100120(A)D 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
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창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 46,257.88000
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MSRT100120(A)D 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-MSRT100120(A)D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MSRT100120(A)D thru MSRT100160(A)D | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 직렬 연결 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 100A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1200V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 3 타워형 | |
| 공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MSRT100120(A)D | |
| 관련 링크 | MSRT1001, MSRT100120(A)D 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
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