창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MSA1162GT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MSA1162G,Y T1 | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 29/Oct/2009 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 500mV @ 10mA, 100mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 80MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SC-59 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MSA1162GT1GOS MSA1162GT1GOS-ND MSA1162GT1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MSA1162GT1G | |
| 관련 링크 | MSA116, MSA1162GT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | A121M15X7RK5UAA | 120pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.098" Dia x 0.150" L(2.50mm x 3.80mm) | A121M15X7RK5UAA.pdf | |
![]() | AS1PG-M3/84A | DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO220 | AS1PG-M3/84A.pdf | |
![]() | P2CF-11-E+ | P2CF-11-E+ OMRON-IA SMD or Through Hole | P2CF-11-E+.pdf | |
![]() | MD5832-D256-V3Q18-X JP | MD5832-D256-V3Q18-X JP ORIGINAL BGA | MD5832-D256-V3Q18-X JP.pdf | |
![]() | IPCL1B01 | IPCL1B01 ALCATEL QFP | IPCL1B01.pdf | |
![]() | BFR | BFR ORIGINAL SMD or Through Hole | BFR.pdf | |
![]() | NMCB0E336MTRF | NMCB0E336MTRF HITACHI SMT | NMCB0E336MTRF.pdf | |
![]() | XC2018PC84-100 | XC2018PC84-100 XC PLCC84 | XC2018PC84-100.pdf | |
![]() | PD10-481515 | PD10-481515 LAMBDA SMD or Through Hole | PD10-481515.pdf | |
![]() | TPS730285DBVR TEL:82766440 | TPS730285DBVR TEL:82766440 TI SOT153 | TPS730285DBVR TEL:82766440.pdf | |
![]() | AUT0831 | AUT0831 SAMSUNG SMD or Through Hole | AUT0831.pdf |