창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MRFE6VS25GNR1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MRFE6VS25(G)NR1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 512MHz | |
이득 | 25.4dB | |
전압 - 테스트 | 50V | |
정격 전류 | - | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 10mA | |
전력 - 출력 | 25W | |
전압 - 정격 | 133V | |
패키지/케이스 | TO-270-2 갈매기날개 | |
공급 장치 패키지 | TO-270-2 GULL | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | MRFE6VS25GNR1-ND MRFE6VS25GNR1TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MRFE6VS25GNR1 | |
관련 링크 | MRFE6VS, MRFE6VS25GNR1 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | MAL215658152E3 | 1500µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 128 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 85°C | MAL215658152E3.pdf | |
![]() | ABLS-8.192MHZ-B2-T | 8.192MHz ±20ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ABLS-8.192MHZ-B2-T.pdf | |
![]() | 402F3601XILT | 36MHz ±10ppm 수정 12pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F3601XILT.pdf | |
![]() | S0603-33NJ3D | 33nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 250 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-33NJ3D.pdf | |
![]() | RMCF0805FT470R | RES SMD 470 OHM 1% 1/8W 0805 | RMCF0805FT470R.pdf | |
![]() | WSLP0805R0350FEB | RES SMD 0.035 OHM 1% 1/2W 0805 | WSLP0805R0350FEB.pdf | |
![]() | ICL43ECAZ | ICL43ECAZ INTERSIL SSOP-28 | ICL43ECAZ.pdf | |
![]() | ECQV1183JM2 | ECQV1183JM2 panasonic SMD or Through Hole | ECQV1183JM2.pdf | |
![]() | SFSH4.5MCB6S13 | SFSH4.5MCB6S13 MURATA SMD or Through Hole | SFSH4.5MCB6S13.pdf | |
![]() | DPM001 | DPM001 SANYO SMD or Through Hole | DPM001.pdf | |
![]() | RN1210(TE4,F,T) | RN1210(TE4,F,T) TOSHIBA N-MINI | RN1210(TE4,F,T).pdf | |
![]() | BU4228 TEL:82766440 | BU4228 TEL:82766440 ROHM SSOP5 | BU4228 TEL:82766440.pdf |