창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MRFE6VP8600HR5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MRFE6VP8600H | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS(이중) | |
주파수 | 860MHz | |
이득 | 19.3dB | |
전압 - 테스트 | 50V | |
정격 전류 | - | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 1.4A | |
전력 - 출력 | 125W | |
전압 - 정격 | 130V | |
패키지/케이스 | NI-1230 | |
공급 장치 패키지 | NI-1230 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | MRFE6VP8600HR5TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MRFE6VP8600HR5 | |
관련 링크 | MRFE6VP8, MRFE6VP8600HR5 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
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![]() | C3216X7R1H105KT100 | C3216X7R1H105KT100 TDK SMD or Through Hole | C3216X7R1H105KT100.pdf | |
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