창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MRFE6VP6600NR3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RF Products Selector Guide MRFE6VP6600(G)N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS(이중) | |
주파수 | 230MHz | |
이득 | 24.7dB | |
전압 - 테스트 | 50V | |
정격 전류 | - | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 100mA | |
전력 - 출력 | 600W | |
전압 - 정격 | 133V | |
패키지/케이스 | OM780-4 | |
공급 장치 패키지 | OM780-4 | |
표준 포장 | 250 | |
다른 이름 | MRFE6VP6600NR3-ND MRFE6VP6600NR3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MRFE6VP6600NR3 | |
관련 링크 | MRFE6VP6, MRFE6VP6600NR3 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | GRM0225C1E6R9BA03L | 6.9pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GRM0225C1E6R9BA03L.pdf | |
![]() | ECS-92.1-S-4 | 9.216MHz ±30ppm 수정 시리즈 60옴 -10°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | ECS-92.1-S-4.pdf | |
![]() | PRG3216P-36R0-D-T5 | RES SMD 36 OHM 1W 1206 WIDE | PRG3216P-36R0-D-T5.pdf | |
![]() | MAX2820EGM-TD | MAX2820EGM-TD MAX QFN | MAX2820EGM-TD.pdf | |
![]() | TMK212BJ226KG-T | TMK212BJ226KG-T TAIYO SMD or Through Hole | TMK212BJ226KG-T.pdf | |
![]() | K4E660812E-TL50 | K4E660812E-TL50 SAMSUNG SOP | K4E660812E-TL50.pdf | |
![]() | CP4485B3-133-DB | CP4485B3-133-DB AGERE BGA | CP4485B3-133-DB.pdf | |
![]() | RDA8852 | RDA8852 RDATECHNO QFN40 | RDA8852.pdf | |
![]() | LVX00 | LVX00 ORIGINAL SSOP-14 | LVX00.pdf | |
![]() | CX24108 | CX24108 CONEXANT SMD or Through Hole | CX24108.pdf | |
![]() | HY5PS561621FP-C4 | HY5PS561621FP-C4 HYNIX BGA | HY5PS561621FP-C4.pdf | |
![]() | NRA226M04R8(4V/22UF/A) | NRA226M04R8(4V/22UF/A) NEC A | NRA226M04R8(4V/22UF/A).pdf |