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NXP Semiconductors MRFE6VP6600GNR3

MRFE6VP6600GNR3
제조업체 부품 번호
MRFE6VP6600GNR3
제조업 자
제품 카테고리
RF FET
간단한 설명
TRANS RF LDMOS 600W 50V
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내부 부품 번호EIS-MRFE6VP6600GNR3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)3(168시간)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RF Products Selector Guide
MRFE6VP6600(G)N
종류이산 소자 반도체 제품
제품군RF FET
제조업체Freescale Semiconductor - NXP
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형LDMOS(이중)
주파수230MHz
이득24.7dB
전압 - 테스트50V
정격 전류-
잡음 지수-
전류 - 테스트100mA
전력 - 출력600W
전압 - 정격133V
패키지/케이스OM-780G-4L
공급 장치 패키지OM-780G-4L
표준 포장 250
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)MRFE6VP6600GNR3
관련 링크MRFE6VP66, MRFE6VP6600GNR3 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
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