창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MRF8S21200HSR6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MRF8S21200HR6 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS(이중) | |
| 주파수 | 2.14GHz | |
| 이득 | 18.1dB | |
| 전압 - 테스트 | 28V | |
| 정격 전류 | - | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 1.4A | |
| 전력 - 출력 | 48W | |
| 전압 - 정격 | 65V | |
| 패키지/케이스 | NI-1230S | |
| 공급 장치 패키지 | NI-1230S | |
| 표준 포장 | 150 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MRF8S21200HSR6 | |
| 관련 링크 | MRF8S212, MRF8S21200HSR6 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | MKP383336063JF02W0 | 0.036µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | MKP383336063JF02W0.pdf | |
![]() | 0JLS175.X | FUSE CRTRDGE 175A 600VAC CYLINDR | 0JLS175.X.pdf | |
![]() | MP1-3V-2V-1I-1I-30 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP1-3V-2V-1I-1I-30.pdf | |
![]() | SI8461BB-B-IS1 | General Purpose Digital Isolator 2500Vrms 6 Channel 150Mbps 25kV/µs (Typ) CMTI 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | SI8461BB-B-IS1.pdf | |
![]() | K4E641612D-TC60(TC50) | K4E641612D-TC60(TC50) SAMSUNG SMD or Through Hole | K4E641612D-TC60(TC50).pdf | |
![]() | BN1L3M | BN1L3M NEC TO-92S | BN1L3M.pdf | |
![]() | EMVE250GTR222MMN0S | EMVE250GTR222MMN0S NIPPON SMD | EMVE250GTR222MMN0S.pdf | |
![]() | BYM111000 | BYM111000 PHILIPS DIP | BYM111000.pdf | |
![]() | MBM150GS6 | MBM150GS6 HITACHI MODULE | MBM150GS6.pdf | |
![]() | 6.3RGV22M4X5.5 | 6.3RGV22M4X5.5 Rubycon DIP-2 | 6.3RGV22M4X5.5.pdf | |
![]() | KOM2125R18 | KOM2125R18 osram SMD or Through Hole | KOM2125R18.pdf |