NXP Semiconductors MRF8S21200HSR6

MRF8S21200HSR6
제조업체 부품 번호
MRF8S21200HSR6
제조업 자
제품 카테고리
RF FET
간단한 설명
FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS
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MRF8S21200HSR6 매개 변수
내부 부품 번호EIS-MRF8S21200HSR6
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)3(168시간)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MRF8S21200HR6
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군RF FET
제조업체Freescale Semiconductor - NXP
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형LDMOS(이중)
주파수2.14GHz
이득18.1dB
전압 - 테스트28V
정격 전류-
잡음 지수-
전류 - 테스트1.4A
전력 - 출력48W
전압 - 정격65V
패키지/케이스NI-1230S
공급 장치 패키지NI-1230S
표준 포장 150
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)MRF8S21200HSR6
관련 링크MRF8S212, MRF8S21200HSR6 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
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