창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MRF8S18210WGHSR3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MRF8S18210WHS Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | N채널 | |
| 주파수 | 1.93GHz | |
| 이득 | 17.8dB | |
| 전압 - 테스트 | 30V | |
| 정격 전류 | - | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 1.3A | |
| 전력 - 출력 | 50W | |
| 전압 - 정격 | 65V | |
| 패키지/케이스 | NI-880XS-2 GW | |
| 공급 장치 패키지 | NI-880XS-2 갈매기형 | |
| 표준 포장 | 250 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MRF8S18210WGHSR3 | |
| 관련 링크 | MRF8S1821, MRF8S18210WGHSR3 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | BFC238065622 | 6200pF Film Capacitor 200V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.138" W (7.20mm x 3.50mm) | BFC238065622.pdf | |
![]() | 7V-26.000MAAQ-T | 26MHz ±30ppm 수정 10pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7V-26.000MAAQ-T.pdf | |
![]() | 2783A | 2783A BEL SMD or Through Hole | 2783A.pdf | |
![]() | 24TIAAK | 24TIAAK NO SMD or Through Hole | 24TIAAK.pdf | |
![]() | SMH250VR182M40X50T5H | SMH250VR182M40X50T5H UMITEDCHEMI-CON DIP | SMH250VR182M40X50T5H.pdf | |
![]() | SP7614AEC6 | SP7614AEC6 SIPEX SC70-6 | SP7614AEC6.pdf | |
![]() | NDB410AE | NDB410AE FAIRCHILD/HARRIS TO-263 | NDB410AE.pdf | |
![]() | ADM6384YKS31D2Z | ADM6384YKS31D2Z ADI SMD or Through Hole | ADM6384YKS31D2Z.pdf | |
![]() | 01L5213P | 01L5213P IBM BGA | 01L5213P.pdf | |
![]() | BSME800ETD470MJ20S | BSME800ETD470MJ20S NIPPON DIP | BSME800ETD470MJ20S.pdf | |
![]() | BGO807C/SC0 | BGO807C/SC0 NXP SMD or Through Hole | BGO807C/SC0.pdf |