창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MRF8P20165WHR5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MRF8P20165WH | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 06/Mar/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS(이중) | |
| 주파수 | 1.98GHz ~ 2.01GHz | |
| 이득 | 14.8dB | |
| 전압 - 테스트 | 28V | |
| 정격 전류 | - | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 550mA | |
| 전력 - 출력 | 37W | |
| 전압 - 정격 | 65V | |
| 패키지/케이스 | NI-780-4 | |
| 공급 장치 패키지 | NI-780-4 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | MRF8P20165WHR5TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MRF8P20165WHR5 | |
| 관련 링크 | MRF8P201, MRF8P20165WHR5 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | MKP385530063JPP2T0 | 3µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.634" L x 0.709" W (41.50mm x 18.00mm) | MKP385530063JPP2T0.pdf | |
![]() | ST40002B | ICL 40 OHM 20% 2A 18.415MM | ST40002B.pdf | |
![]() | 416F360X2CAR | 36MHz ±15ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F360X2CAR.pdf | |
![]() | 402F204XXCJT | 20.48MHz ±15ppm 수정 9pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F204XXCJT.pdf | |
![]() | PR01000101102JR500 | RES 11K OHM 1W 5% AXIAL | PR01000101102JR500.pdf | |
![]() | F7210 | F7210 IOR SOP | F7210.pdf | |
![]() | LE80537 1.06/2M/533 SLV3X | LE80537 1.06/2M/533 SLV3X INTEL BGA | LE80537 1.06/2M/533 SLV3X.pdf | |
![]() | CMR06F102 | CMR06F102 CDC DIP-2 | CMR06F102.pdf | |
![]() | LT1782IS5TRM | LT1782IS5TRM LTC-PBS/A SMD or Through Hole | LT1782IS5TRM.pdf | |
![]() | 216T9NAAGA11FH(9000)/(M9-CSP64) | 216T9NAAGA11FH(9000)/(M9-CSP64) ORIGINAL BGA(64M) | 216T9NAAGA11FH(9000)/(M9-CSP64).pdf | |
![]() | MT28F800B3-9BF | MT28F800B3-9BF MT SOP | MT28F800B3-9BF.pdf |