창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MRF6VP2600HR6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MRF6VP2600HR6 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS(이중) | |
| 주파수 | 225MHz | |
| 이득 | 25dB | |
| 전압 - 테스트 | 50V | |
| 정격 전류 | - | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 2.6A | |
| 전력 - 출력 | 125W | |
| 전압 - 정격 | 110V | |
| 패키지/케이스 | NI-1230 | |
| 공급 장치 패키지 | NI-1230 | |
| 표준 포장 | 150 | |
| 다른 이름 | MRF6VP2600HR6-ND MRF6VP2600HR6TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MRF6VP2600HR6 | |
| 관련 링크 | MRF6VP2, MRF6VP2600HR6 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
| MUR2X100A02 | DIODE GEN PURP 200V 200A SOT227 | MUR2X100A02.pdf | ||
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