창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MRF6V4300NR1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MRF6V4300N | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 06/Mar/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 450MHz | |
이득 | 22dB | |
전압 - 테스트 | 50V | |
정격 전류 | - | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 900mA | |
전력 - 출력 | 300W | |
전압 - 정격 | 110V | |
패키지/케이스 | TO-270AB | |
공급 장치 패키지 | TO-270 WB-4 | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MRF6V4300NR1 | |
관련 링크 | MRF6V43, MRF6V4300NR1 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | APTGT75SK120TG | IGBT 1200V 110A 357W SP4 | APTGT75SK120TG.pdf | |
NRH3010T2R2MNV | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 1.3A 99.6 mOhm Max Nonstandard | NRH3010T2R2MNV.pdf | ||
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![]() | MS46LR-20-1215-Q1-00X-00R-NO-F | SYSTEM | MS46LR-20-1215-Q1-00X-00R-NO-F.pdf | |
![]() | MR2940D | MR2940D SHINDENGE DIP | MR2940D.pdf | |
![]() | CMP05FP | CMP05FP AD SMD or Through Hole | CMP05FP.pdf | |
![]() | MA4P102-120 | MA4P102-120 M/A-COM SMD or Through Hole | MA4P102-120.pdf | |
![]() | AH104F2550S1-T | AH104F2550S1-T ORIGINAL SMD or Through Hole | AH104F2550S1-T.pdf | |
![]() | S1D13716B02B50B | S1D13716B02B50B EPSON BGA | S1D13716B02B50B.pdf | |
![]() | CA0258M | CA0258M INT SOP8 | CA0258M.pdf | |
![]() | 0805N181K500NT | 0805N181K500NT EDEN SMD or Through Hole | 0805N181K500NT.pdf | |
![]() | NDS9936FSC | NDS9936FSC FSC SOP-8 | NDS9936FSC.pdf |