창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MRF6S18060NR1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MRF6S18060NR1,NBR1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 1.99GHz | |
이득 | 15dB | |
전압 - 테스트 | 26V | |
정격 전류 | - | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 600mA | |
전력 - 출력 | 60W | |
전압 - 정격 | 68V | |
패키지/케이스 | TO-270AB | |
공급 장치 패키지 | TO-270 WB-4 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | MRF6S18060NR1-ND MRF6S18060NR1TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MRF6S18060NR1 | |
관련 링크 | MRF6S18, MRF6S18060NR1 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
530FC250M000DG | 250MHz LVDS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 2.5V 98mA Enable/Disable | 530FC250M000DG.pdf | ||
SIT8008BI-33-33E-59.000000Y | OSC XO 3.3V 59MHZ OE | SIT8008BI-33-33E-59.000000Y.pdf | ||
RT0402DRE07100KL | RES SMD 100K OHM 0.5% 1/16W 0402 | RT0402DRE07100KL.pdf | ||
RT1206BRE0760K4L | RES SMD 60.4K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRE0760K4L.pdf | ||
RG1608P-224-W-T1 | RES SMD 220KOHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608P-224-W-T1.pdf | ||
H4118RBZA | RES 118 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4118RBZA.pdf | ||
X51638Z-2.7T1 | X51638Z-2.7T1 InterilXicor SOIC-8 | X51638Z-2.7T1.pdf | ||
H11A3SR2VM | H11A3SR2VM Fairchi SMD or Through Hole | H11A3SR2VM.pdf | ||
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MAX3042BCSE+ | MAX3042BCSE+ MAXIM SOP | MAX3042BCSE+.pdf | ||
PTH7M4R7MD3-00 | PTH7M4R7MD3-00 MURATA SMD or Through Hole | PTH7M4R7MD3-00.pdf | ||
KM41C256P-12 | KM41C256P-12 SAMSUNG DIP16 | KM41C256P-12.pdf |