창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MPLAD6.5KP58AE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MPLAD6.5KP10A - 48CA(e3) | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 1 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 58V | |
전압 - 항복(최소) | 64.4V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 93.6V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 69.1A | |
전력 - 피크 펄스 | 6500W(6.5kW) | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 비표준 SMD | |
공급 장치 패키지 | PLAD | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1086-7625 1086-7625-MIL | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MPLAD6.5KP58AE3 | |
관련 링크 | MPLAD6.5K, MPLAD6.5KP58AE3 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | CL32B104KEJNNNE | 0.10µF 250V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | CL32B104KEJNNNE.pdf | |
![]() | VJ0402D3R9DLBAJ | 3.9pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D3R9DLBAJ.pdf | |
![]() | VJ0402D120KLCAJ | 12pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D120KLCAJ.pdf | |
![]() | 416F27133CSR | 27.12MHz ±30ppm 수정 시리즈 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27133CSR.pdf | |
![]() | IXTX32P60P | MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247 | IXTX32P60P.pdf | |
![]() | 74-313 | 74-313 SELLERY SMD or Through Hole | 74-313.pdf | |
![]() | K4J52324QC-B000 | K4J52324QC-B000 SAMSUNG 136FBGA | K4J52324QC-B000.pdf | |
![]() | M2 (1N4002) | M2 (1N4002) TOSHIBA SMA | M2 (1N4002).pdf | |
![]() | SN74LVC1G3157DRLRG4 | SN74LVC1G3157DRLRG4 TI SMD or Through Hole | SN74LVC1G3157DRLRG4.pdf | |
![]() | 87F7000 IBM | 87F7000 IBM IBM SSOP-40 | 87F7000 IBM.pdf | |
![]() | X28C64FMB-30 | X28C64FMB-30 XICOR LCC | X28C64FMB-30.pdf | |
![]() | EE2-9NUH | EE2-9NUH NEC SMD or Through Hole | EE2-9NUH.pdf |