창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MPLAD30KP51AE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MPLAD30KP14A - 400CA | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | 1 | |
| 양방향 채널 | - | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 51V | |
| 전압 - 항복(최소) | 56.7V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 82.4V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 366A | |
| 전력 - 피크 펄스 | 30000W(30kW) | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 비표준 SMD | |
| 공급 장치 패키지 | PLAD | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 1086-7465 1086-7465-MIL | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MPLAD30KP51AE3 | |
| 관련 링크 | MPLAD30K, MPLAD30KP51AE3 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 0201ZJ1R2BBSTR | 1.2pF Thin Film Capacitor 10V 0201 (0603 Metric) 0.024" L x 0.013" W (0.60mm x 0.33mm) | 0201ZJ1R2BBSTR.pdf | |
![]() | GL200F23IDT | 20MHz ±20ppm 수정 18pF 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL200F23IDT.pdf | |
![]() | D1724-706 | D1724-706 NEC QFP-56 | D1724-706.pdf | |
![]() | 2002122100006C4LF | 2002122100006C4LF FRAMATOME SMD or Through Hole | 2002122100006C4LF.pdf | |
![]() | MB4210 | MB4210 FUJITSU SIP | MB4210.pdf | |
![]() | 4000-70103-0004000 | 4000-70103-0004000 MURR SMD or Through Hole | 4000-70103-0004000.pdf | |
![]() | 1SV214 T3,M | 1SV214 T3,M TOSHIBA SOD323 | 1SV214 T3,M.pdf | |
![]() | LLQ1J682MHSC | LLQ1J682MHSC NICHICON SOP | LLQ1J682MHSC.pdf | |
![]() | R-201SN90 | R-201SN90 RICH SMD or Through Hole | R-201SN90.pdf | |
![]() | WB0J477M0811MPF280 | WB0J477M0811MPF280 SAMWHA SMD or Through Hole | WB0J477M0811MPF280.pdf |