창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MPLAD30KP100AE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MPLAD30KP14A - 400CA | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 1 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 100V | |
전압 - 항복(최소) | 111V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 162V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 186A | |
전력 - 피크 펄스 | 30000W(30kW) | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 비표준 SMD | |
공급 장치 패키지 | PLAD | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1086-7337 1086-7337-MIL | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MPLAD30KP100AE3 | |
관련 링크 | MPLAD30KP, MPLAD30KP100AE3 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | B32560J6223J289 | 0.022µF Film Capacitor 200V 400V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked 2-DIP 0.354" L x 0.098" W (9.00mm x 2.50mm) | B32560J6223J289.pdf | |
![]() | MKP1839156633R | 560pF Film Capacitor 250V 630V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.217" Dia x 0.433" L (5.50mm x 11.00mm) | MKP1839156633R.pdf | |
![]() | 416F48013IAR | 48MHz ±10ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F48013IAR.pdf | |
![]() | CD8028N | CD8028N PHILIPS DIP14 | CD8028N.pdf | |
![]() | RN1902 (TE85L,F) | RN1902 (TE85L,F) TOSHIBA SOT-363 | RN1902 (TE85L,F).pdf | |
![]() | 1775MHZ | 1775MHZ FUJITSU SMD or Through Hole | 1775MHZ.pdf | |
![]() | K6T2008U2A-TF85 | K6T2008U2A-TF85 SAMSUNG SMD or Through Hole | K6T2008U2A-TF85.pdf | |
![]() | FS19C-4S-0.5SH | FS19C-4S-0.5SH ORIGINAL SMD or Through Hole | FS19C-4S-0.5SH.pdf | |
![]() | HI160810NJ | HI160810NJ DARFON SMD or Through Hole | HI160810NJ.pdf | |
![]() | DG442LDQ-T1 | DG442LDQ-T1 SILICONIX SOIC16 | DG442LDQ-T1.pdf | |
![]() | SP31101 | SP31101 ORIGINAL SMD or Through Hole | SP31101.pdf |