창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MOSX2CGT4A5R1J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | MOSX2CGT4A5R1J | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | MOSX2CGT4A5R1J | |
| 관련 링크 | MOSX2CGT, MOSX2CGT4A5R1J 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | TPSW107M004R0100 | 100µF Molded Tantalum Capacitors 4V 2312 (6032 Metric) 100 mOhm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | TPSW107M004R0100.pdf | |
![]() | CM309E16000000BHNT | 16MHz ±50ppm 수정 30pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | CM309E16000000BHNT.pdf | |
![]() | PE-53809NL | 256µH Unshielded Toroidal Inductor 250mA 2.2 Ohm Radial | PE-53809NL.pdf | |
![]() | CMF55120R00BER670 | RES 120 OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF55120R00BER670.pdf | |
![]() | EPM1810GC-2 | EPM1810GC-2 ALTERA PGA | EPM1810GC-2.pdf | |
![]() | IXTV26N60PS | IXTV26N60PS IXYS PLUS220SMD | IXTV26N60PS.pdf | |
![]() | SAYHS836MAD0T00 | SAYHS836MAD0T00 MURATA SMD or Through Hole | SAYHS836MAD0T00.pdf | |
![]() | LUWT6SG-AA-4Q-0-20 | LUWT6SG-AA-4Q-0-20 OSRAM SMD or Through Hole | LUWT6SG-AA-4Q-0-20.pdf | |
![]() | K4R271669B-WCK7 | K4R271669B-WCK7 SAMSUNG BGA | K4R271669B-WCK7.pdf | |
![]() | M1117-ADJ | M1117-ADJ HTC SOT-223 | M1117-ADJ.pdf | |
![]() | MX22LV800TTC-70 | MX22LV800TTC-70 MX TSOP | MX22LV800TTC-70.pdf | |
![]() | 24WC256PI/PA/P | 24WC256PI/PA/P CSI DIP | 24WC256PI/PA/P.pdf |